3. ESD-Forum 1993 (Grainau)

Tagungsprogramm 

Sitzung 1: ESD-Effekte und Schutzstrukturen

  • ESD-Optimierung von hochintegrierten CMOS-Schaltungen, Design und/oder Proßessmaßnahmen 

    X. Guggenmos – Siemens AG
  • Zeitaufgelöste Untersuchung des Snapbackverhaltens eines ESD-Schutztransistors 

    R. Kropf – TU München
  • Identifying EOS and ESD Failure Signatures 

    J.H. Morgan – Advanced Micro Devices

Sitzung 2: ESD-Umgebung der Halbleiter

  • Vergleichende Untersuchung von Meßmethoden zum kontrollierten Abbau von Ladung (Static Decay) 

    R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
  • Praxisbezogene Meßmethoden und daraus abgeleitete Anforderungen an das Eigenschaftsprofil neuer Arbeitsflächen 

    H. Huthwelker – Thermopal
  • Die Überprüfung der einzelnen Komponenten eines Arbeitsplatzes in einem effektiven Sicherheitssystem gegen Elektrostatik 

    H.-P. Brandt – 3M Laboratories Europe GmbH

Sitzung 3: Praktische Schutzmaßnahmen und Erfahrungen

  • Schutz von elektrostatisch gefährdeten Bauelementen 

    A. Bergmann – VDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut
  • Verfahrensaudit zur Absicherung und Optimierung von ESD-Schutzmaßnahmen 

    P. Becker – Qualitäts-Fachingenieur DGQ
  • AWN 450-Schutz von Bauelementen und Erzeugnissen gegen elektrostatische Auf- und Entladung im Unternehmensbereich der Atlas Elektronik GmbH 

    E. Gerhard – Atlas Elektronik
  • Qualitätswesen: Aufbau eines ESD-Schutzsystemes nach CECC00015/l 

    J. Helbing – Mitsubishi Semiconductor Europe GmbH

Sitzung 4: Testereigenschaften

  • On the Influence of the Speed of Approach, Humidity and Arc Length on ESD Breakdown 

    D. Pommerenke – TU Berlin
  • Ermittlung der Störfestigkeit gegen Entladung statischer Elektrizität 

    P. Fischer – Schaffner Elektronik GmbH
  • Prüfung der Kurvenform des Ausgangsstromes von ESD-Prüfgeneratoren 

    T. Ewler – Universität Hannover
  • Kompakte Bauelementemodelle von ESD-Schutzelementen und deren Anwendung 

    C. Russ – TU München
  • Vergleich der Ausfallgrenzen eines ICs mit verschiedenen HBM-Testgeräten 

    H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München

Sitzung 5: Testergebnisse

  • Modell für die Degradation eines CMOS-Bauelementes durch Mehrfachentladungen 

    H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München
  • Vergleich von HBM- und MM-induzierten ESD-Ausfällen 

    T. Brodbeck – Siemens AG
  • Zuverlässigkeitsuntersuchung einer nur durch CDM-Belastung reproduzierbaren Felddegradierung 

    J.C. Reiner – ETHZ
  • Charged Device Model-Tester und ihre Standarisierung 

    H. Gieser – TU München
  • Multidimensionale Studie zum Charged-Device-Model Test 

    P. Egger – TU München