3. ESD-Forum 1993 (Grainau)

Sitzung 1: ESD-Effekte und Schutzstrukturen

• ESD-Optimierung von hochintegrierten CMOS-Schaltungen, Design und/oder Proßessmaßnahmen 
  
  X. Guggenmos – Siemens AG
• Zeitaufgelöste Untersuchung des Snapbackverhaltens eines ESD-Schutztransistors 
  
  R. Kropf – TU München
• Identifying EOS and ESD Failure Signatures 
  
  J.H. Morgan – Advanced Micro Devices

Sitzung 2: ESD-Umgebung der Halbleiter

• Vergleichende Untersuchung von Meßmethoden zum kontrollierten Abbau von Ladung (Static Decay) 
  
  R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
• Praxisbezogene Meßmethoden und daraus abgeleitete Anforderungen an das Eigenschaftsprofil neuer Arbeitsflächen 
  
  H. Huthwelker – Thermopal
• Die Überprüfung der einzelnen Komponenten eines Arbeitsplatzes in einem effektiven Sicherheitssystem gegen Elektrostatik 
  
  H.-P. Brandt – 3M Laboratories Europe GmbH

Sitzung 3: Praktische Schutzmaßnahmen und Erfahrungen

• Schutz von elektrostatisch gefährdeten Bauelementen 
  
  A. Bergmann – VDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut
• Verfahrensaudit zur Absicherung und Optimierung von ESD-Schutzmaßnahmen 
  
  P. Becker – Qualitäts-Fachingenieur DGQ
• AWN 450-Schutz von Bauelementen und Erzeugnissen gegen elektrostatische Auf- und Entladung im Unternehmensbereich der Atlas Elektronik GmbH 
  
  E. Gerhard – Atlas Elektronik
• Qualitätswesen: Aufbau eines ESD-Schutzsystemes nach CECC00015/l 
  
  J. Helbing – Mitsubishi Semiconductor Europe GmbH

Sitzung 4: Testereigenschaften

• On the Influence of the Speed of Approach, Humidity and Arc Length on ESD Breakdown 
  
  D. Pommerenke – TU Berlin
• Ermittlung der Störfestigkeit gegen Entladung statischer Elektrizität 
  
  P. Fischer – Schaffner Elektronik GmbH
• Prüfung der Kurvenform des Ausgangsstromes von ESD-Prüfgeneratoren 
  
  T. Ewler – Universität Hannover
• Kompakte Bauelementemodelle von ESD-Schutzelementen und deren Anwendung 
  
  C. Russ – TU München
• Vergleich der Ausfallgrenzen eines ICs mit verschiedenen HBM-Testgeräten 
  
  H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München

Sitzung 5: Testergebnisse

• Modell für die Degradation eines CMOS-Bauelementes durch Mehrfachentladungen 
  
  H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München
• Vergleich von HBM- und MM-induzierten ESD-Ausfällen 
  
  T. Brodbeck – Siemens AG
• Zuverlässigkeitsuntersuchung einer nur durch CDM-Belastung reproduzierbaren Felddegradierung 
  
  J.C. Reiner – ETHZ
• Charged Device Model-Tester und ihre Standarisierung 
  
  H. Gieser – TU München
• Multidimensionale Studie zum Charged-Device-Model Test 
  
  P. Egger – TU München